純硅模具是制備高深寬比微通道的理想選擇,利用硅的干法刻蝕技術(shù),可以輕松實(shí)現深寬比最高達25:1的微通道結構,而且線(xiàn)條寬度可控制在2微米以上,精度誤差僅在±1微米范圍內,該方法可以彌補光刻膠在高深寬方面的不足之處。硅干法刻蝕具體流程如右圖然而,硅表面通常具有強烈的親水性,這可能導致PDMS芯片在脫模時(shí)黏附在硅表面,制造過(guò)程中的一大挑戰。為解決這個(gè)問(wèn)題,通常需要對硅表面進(jìn)行疏水修飾,使硅表面變得疏水,確保PDMS芯片能夠輕松從硅模具上脫離,而不受親水性的干擾(具體疏水解決方案可咨詢(xún)