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小出光面更容易匹配二次光學(xué)，得到更高的中心光強(qiáng)，致使小封裝高功率密度LED趨勢來襲。高功率密度對封裝基板/封裝工藝/芯片/應(yīng)用端的導(dǎo)熱散熱提出極高要求，小出光面LED大體為2類：SMD和COB面光源。

　　在此需要解釋一下，COB是chips on board的簡稱，高功率密度的SMD光源其實(shí)都是COB封裝。（小歷史：今天的COB在其出世時(shí)昵稱是叫面光源，但在廣州市科信局組織的一次學(xué)界交流中，主講人特別提到面光源區(qū)別于當(dāng)時(shí)流行的封裝技術(shù)，用的是COB封裝?；蛟SCOB特征明顯又容易上口，由此流行開來）。

　　關(guān)于小出光面高光通密度趨勢下的封裝基板

高光通密度SMD基板可能的流行尺寸3535/5050/7070/9090

　CREE高光通密度SMD之基板功率密度

　　由表格，SMD基板單位平方厘米的功率密度達(dá)到24W/cm2以上

　　小出光面高光通密度COB

　　COB基板的功率密度達(dá)到6W/cm2以上，Cree的2590更是達(dá)到14.5W/cm2；

　　由表格及報(bào)道，小出光面高光通各廠家的LES大體一致，為6mm/8.5mm-9mm/11mm-12mm/13mm-14mm/19mm。出光面功率密度在28-40W/cm2之間，比普通COB的功率密度高1倍以上；

　　大膽預(yù)測，未來10W以下級(jí)別的COB面光源市場將會(huì)被SMD侵襲；COB面光源的功率密度也會(huì)如SMD般快速提升，畢竟單體高功率才是其優(yōu)勢。

　　高功率密度的封裝基板應(yīng)該滿足

　　1高導(dǎo)熱系數(shù)

　　2高出光效率

　　3芯片與基板的熱膨脹系數(shù)相近，避免熱應(yīng)力對芯片的損壞

　　4抗氧化抗硫化

　　5最好熱電分離，主要針對SMD。熱電分離會(huì)極大便利應(yīng)用端

　　6高絕緣，主要針對COB面光源，順應(yīng)高電壓小電流非隔離驅(qū)動(dòng)的趨勢

各類型的封裝基板數(shù)據(jù)

　　與高功率密度SMD比較，金屬基/SiC/AlN可以滿足熱流密度需求，但金屬基及SiC是導(dǎo)體，并不適合做正負(fù)極焊盤需要通孔(via)導(dǎo)通類型SMD封裝基板，AlN優(yōu)秀的導(dǎo)熱性能和絕緣性能是最適合的高功率密度封裝基板；

　　與高功率密度COB比較，鏡面鋁基/AL2O3/SiC/AlN均可以滿足熱流密度需求。SiC/AlN由于出光效率且成本高昂，鏡面鋁基及Al2O3陶瓷最適合做小出光面高光通COB封裝基板；

　　鏡面鋁和Al2O3陶瓷是COB封裝的2大主流。需要注意的是，雖然鏡面鋁的導(dǎo)熱系數(shù)遠(yuǎn)高于陶瓷，但其二十多的熱膨脹系數(shù)在高功率密度時(shí)必須考慮其對芯片襯底的熱應(yīng)力影響。

　　Al2O3陶瓷基板也有2種，一是厚膜工藝的燒結(jié)銀陶瓷基板，另一是后起之秀薄膜工藝的DPC（陶瓷直接覆銅）陶瓷基板。

　DPC正裝COB基板

　燒結(jié)銀正裝COB基板

　　燒結(jié)銀陶瓷基板和DPC陶瓷基板還是有較大差別，最大差別在于DPC基板不含銀，不會(huì)氧化和硫化，光通維持率遠(yuǎn)好于燒結(jié)銀基板；封裝焊線拉力好于燒結(jié)銀基板；由于焊錫對銀有很好的親和力，銀焊盤焊接時(shí)烙鐵停留時(shí)間稍長極有可能銀被焊錫吸附而掉焊盤，而DPC焊盤可焊性遠(yuǎn)遠(yuǎn)要好，DPC基板的不足是初始光效不如燒結(jié)銀基板，成本也略高。

　　DPC實(shí)現(xiàn)通附著力，工藝不同結(jié)果差別較大，工藝得當(dāng)，附著力力會(huì)非常強(qiáng)。

如圖為拉力測試，可以看到陶瓷都拉起來

　裸露在空氣中一個(gè)月對比，燒結(jié)銀基板已嚴(yán)重氧化

　　DPC線路使用的是薄膜制程，可以做到非常精細(xì)，適合用于倒裝芯片的封裝基板。

DPC的精細(xì)線間距75um

　DPC倒裝COB基板

　　未來，倒裝封裝的COB或垂直結(jié)構(gòu)芯片封裝的COB會(huì)更加適合高光通小出光面的COB光源！

    DPC的精彩應(yīng)用：

厚銅高功率封裝基板